证实BusinessKorea的报说念开云体育，SK海力士在NAND技巧方面的上风照旧卓越了，绝顶是在\"单位堆叠\"技巧方面取得了上风，况且正在向三星在 NAND 闪存市集的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的\"321 层\"NAND 闪存芯片将大幅擢升性能，这要归功于很是的单位层。SK 海力士照旧在 HBM 市集上给三星带来了不小的冲击，这对该公司来说是一个贫苦的里程碑。

虽然 SK Hynix 是一家相对\"小限制\"的公司，但它在 HBM 规模为（NVIDIA）等东说念主工智能巨头争取到的订单致使向上了三星。

SK Hynix 最新推出的 321 层 NAND 芯片将为市集带来显耀的性能擢升，芯片的层数比上一代技巧增多了 35%，数据传输速率提高 12%，读取性能提高 13%，能效提高 10%以上。

三星一直绝顶惦记 SK Hynix 在市集上的进展，自V-NAND被发明以来，该公司被称为垂直堆叠单位的\"前驱\"，不错大齐增多层数从而擢升存储密度和性能。 关联词，跟着 SK Hynix 可能在这一规模取得最初地位，三星在 NAND 规模的主导地位似乎可能会受到挑战。

SK Hynix 在 NAND 规模的最初地位天然令东说念主诧异，但必须指出的是，领有高效的 NAND 分娩线雷同贫苦，而且鉴于三星在这一规模的总揽地位，SK Hynix 将很难奋发蹈厉。 关联词，三星的低迷流露，再加上工艺问题迟迟难以搞定导致新客户的参加受阻，给了 SK 海力士一个宏大的空缺。

SK 海力士和三星的竞争害不仅是一个生意问题，亦然一个文化问题，两家公司齐参与了在韩国市集的主导地位的竞争。